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本发明提供一种半导体激光发射器，其特征在于，包括，第一DBR层，第二DBR层，位于第一DBR层上方的透明导电层，以及配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第一DBR层还连接衬底层，通过如此设计，使得VCSEL光束质量更好，远场发散角进一步降低；电导率、透光率，进一步提高VCSEL的电光转换效率、减小阈值电流。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928600 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110124370.6
(22)申请日 2021.01.29
(71)申请人 宁波飞芯电子科技有限公司
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