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本发明公开了一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法,其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环,活动道安装于衔接操作头内部,离子校对输出口包括校对口杆、直射道、完整卡扣、灵活压球、整体囊、隔层、定向顶杆,当离子注入口受到损坏时,其前者将会掉落,后者主杆将会往下滑动,由空格受力将其回力镖撑开,其滑润层辅助其边角往两侧滑动,当回力镖被撑开的同时,折弯限向杆将会被挤压,其卡勾与固定柱之间的定位,其顶壳将对整体囊进行推动,整体囊内部的外压弧将受到力,使其能够顶在新的主杆表面,对其进行固定,能够在离
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928005 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110130892.7
(22)申请日 2019.04.23
(62)分案原申请数据
2019103
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