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本发明提供了一种CMOS集成器件的制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的CMOS集成器件的制造方法中，通过采用改良后的第一CMOS器件区中的低阈值电压PMOS管的晕环离子注入光罩，在打开第一CMOS器件区中低阈值电压PMOS管所在区域(第三注入窗口)的同时打开第三CMOS器件区的NMOS管所在区域(第四注入窗口)，因此，在通过对所述第三注入窗口进行离子注入，形成低阈值电压PMOS管的第一N型晕环离子注入区的同时在所述第四注入窗口对应的半导体衬底上形成第三CMOS器件区的NMOS管的N型浅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928067 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110093742.3
(22)申请日 2021.01.22
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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