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低触发高维持双向SCR防护器件及其工艺方法.pdfVIP

低触发高维持双向SCR防护器件及其工艺方法.pdf

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    本发明提供了一种低触发高维持双向SCR防护器件及其工艺方法，该器件包括：衬底，在衬底中由外向内形成的第一阱和第一掩埋层；在第一掩埋层上形成的第一深型阱；在第一深型阱上由外向内依次形成第二、三、四、五阱；在第三、五阱中分别形成的第一、二体区；在第一阱中形成的第一有源区；在第三阱中由外向内形成的第二、三有源区；在第一体区中形成的第四有源区；在第三阱和第四阱的交界处、在第四阱和第五阱的交界处分别形成的第五、第六有源区；在第五阱中形成的第七有源区；在第二体区中形成的第八有源区。本发明提供的SCR器件能够

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928112 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110113617.4 (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人 深圳市国微电子有限公司

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