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本申请公开了一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括半导体衬底、第一沟槽结构和第二沟槽结构,所述第一沟槽结构形成在所述半导体衬底中,用于形成沟槽式电容器,所述第二沟槽结构,形成在所述半导体衬底中并环绕所述第一沟槽结构设置。所述第二沟槽结构用于在所述半导体衬底被切割时防止所述第一沟槽结构受到机械性损伤。所述第一沟槽结构与所述第二沟槽结构在同一个蚀刻工艺中形成,并未增加额外的工艺步骤。本申请所公开的半导体结构及其形成方法能够在不增加额外的工艺步骤的情况下防止衬底在芯片切割过程受到机械损伤。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951771 A
(43)申请公布日
2021.06.11
(21)申请号 20191
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