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本发明涉及泛半导体技术领域，提供一种半导体制程废气处理的控制方法及设备。半导体制程废气处理的控制方法，应用于半导体制程废气处理设备，废气处理设备包括依次连通的处理容器、第一冷却容器、水箱、第二冷却容器和排气管，所述控制方法包括：获取所述处理容器内气体的第一气体温度，以及所述水箱内气体的第二气体温度；获取所述第一气体温度与所述第二气体温度的第一温度差；根据所述第一温度差、所述第一气体温度和所述第二气体温度调节所述第一冷却容器的第一冷却液的流量。本发明提出的半导体制程废气处理的控制方法，可根据气体温
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112933861 B
(45)授权公告日 2022.08.12
(21)申请号 202110097807.1 (51)Int.Cl.
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