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本申请实施例提供了一种膜层生长方法、装置、设备及系统,可以利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种,利用第二站点在形成有晶种的待处理晶圆上形成待成膜材料的低温膜层,利用第三站点对形成有低温膜层的待处理晶圆进行ICE处理,利用第四站点在低温膜层上形成待成膜材料的高温膜层,这样相比于传统技术中利用第一站点生成晶种和低温膜层,减少了第一站点的工作时间,相比于传统技术中利用第二站点、第三站点和第四站点来形成高温膜层,减少了高温膜层的工作站点数量,利于控制同时减少生长时间,因此可以提高膜层生长效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112951763 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202110099121.6 (56)对比文件
(22)申请日 2021.01.25
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