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本发明公开一种半导体刻蚀设备和碳化硅晶片的刻蚀方法，半导体刻蚀设备包括工艺腔室，所述工艺腔室内设置有磁控溅射组件，所述磁控溅射组件安装于所述工艺腔室的侧壁上，位于所述工艺腔室中用于承载晶片的承载件上方，所述磁控溅射组件包括基座组件和遮挡组件，所述基座组件用于固定靶材并吸引等离子轰击所述靶材，所述遮挡组件可旋转，用于选择性地遮挡所述靶材。采用上述半导体刻蚀设备对碳化硅晶片进行刻蚀，可以解决形成的刻蚀结构的侧壁和底面近乎垂直，会引起尖端放电现象，从而容易损坏器件的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112921404 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202110179377.8 C30B 29/36 (2006.01)
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