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2023-06-10 发布于四川
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一种气体传感器及其制备方法.pdf

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本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，其中气体传感器包括：依次层叠的半导体衬底、缓冲层、势垒层、帽层，以及位于势垒层远离沟道层一侧的源极和漏极；还包括耐温绝缘层，耐温绝缘层设置于源极和漏极远离势垒层的一侧；耐温绝缘层覆盖势垒层和沟道层沿传感器厚度方向的侧壁，且覆盖势垒层未设置源极和漏极的区域；还包括栅极，栅极位于耐温绝缘层远离半导体衬底的一侧，且位于源极和漏极之间的感应区域。本发明实施例提供的技术方案提高了气体传感器的耐温性，扩大了测试温度的范围，增加了检测气体的范围。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112924515 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110077044.4 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人南方科技大学地址

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