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本文中公开的各方面包括在不同类型的扩散区域中采用双扩散断裂(DDB)和单扩散断裂(SDB)的电路，并且公开了相关的制造方法。在本文中公开的示例性方面中，在N型扩散区域中形成DDB或SDB，并且在P型扩散区域中形成相反类型扩散(SDB或DDB)。可以采用在电路的不同扩散区域中的DDB与SDB之间形成不同扩散断裂，来诱发将增加形成在相应P型或N型扩散区域中的P型或N型半导体器件的载流子迁移率的沟道应变，同时避免或减少这种诱发的形成在相应P型或N型扩散区域中的P型或N型半导体器件中的、可以降低载流子迁
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112956013 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 201980061781.6 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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