一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法.pdfVIP

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2023-06-10 发布于四川
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一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法.pdf

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本发明属于光电信息技术领域，提供了一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A‑B效应的方法，主要通过调整以下参数：螺线管中磁通量的大小、探测平面与负离子之间的距离、负离子到弹性表面的距离以及入射光子的能量，计算探测平面上径向电子通量分布，直至获取到满足清晰度要求的磁A‑B效应干涉图样，本发明通过改变螺线管中磁通量的大小及入射光子的能量得到了满足清晰度的磁A‑B效应的干涉图样；同时，通过改变探测平面的位置，实现在宏观尺度上直接观察负离子在表面附近光剥离的磁A‑B效应。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112946386 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110128450.9 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人鲁东大学地址 26

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