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一种浮空p柱的逆导型槽栅超结IGBT.pdfVIP

一种浮空p柱的逆导型槽栅超结IGBT.pdf

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    本发明提供了一种逆导型超结IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包围，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。该器件有较低的导通压降，能消除电压随电流的折回现象，且能避免击穿电压的降低。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112928156 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110373827.7 US 2017040446 A1,2017.02.09

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