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一种掩膜版以及半导体结构的形成方法,所述掩膜版包括:第一掩膜版,包括主图形以及位于主图形中的反相辅助图形;第二掩膜版,与第一掩膜版相配合,包括补偿图形,补偿图形的透光特性与反相辅助图形的透光特性相反,补偿图形在第一掩膜版上的投影覆盖反相辅助图形且位于主图形中。本发明实施例的掩膜版还包括与第一掩膜版相配合的第二掩膜版,如果第一掩膜版中的反相辅助图形在光刻工艺中显影出图形,能够利用第二掩膜版将反相辅助图形在光刻时形成的图形去除,使目标图形满足设计要求,且不需为防止出现反相辅助图形在光刻时发生显影的问
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112946995 A
(43)申请公布日
2021.06.11
(21)申请号 20191
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