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本发明涉及一种低温大规模制备三维有序微孔碳方法，包含钴离子交换沸石模板及400℃的低温化学气相沉积处理，合成材料继承原有沸石模板三维有序微孔结构，并具有高的BET比表面积、大的孔体积及三维有序微孔结构特征。在化学气相沉积阶段直接将有机碳源气体引入保持在400℃的低温即可以形成碳‑沸石复合物。在石墨化阶段，将非反应气体引入后保持在石墨化温度的碳‑沸石复合物以形成经石墨化处理的碳‑沸石复合物。通过向经石墨化处理的碳‑沸石复合物引入强无机酸混合物以释放三维有序微孔碳。在400℃的低温CVD处理过程中，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112919459 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110291673.7
(22)申请日 2021.03.18
(71)申请人 辽宁科技大学
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