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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内具有相邻的阱区和掺杂区，以及位于掺杂区远离阱区一侧的隔离结构；栅极结构，位于阱区和掺杂区交界处的基底上；掺杂层，位于栅极结构一侧的掺杂区上以及隔离结构上，掺杂层中的掺杂离子的导电类型与掺杂区中的掺杂离子导电类型相同，掺杂层和掺杂区共同作为漂移区；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于隔离结构上的掺杂层内。本发明实施例将掺杂层和掺杂区共同作为漂移区，掺杂层位于部分区域的隔离结构上，因此有利于减小LDMOS占用基底表面的面积，提高半导体结构

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951913 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 20191

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