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本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951906 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 202110098377.5
(22)申请日 2021.01.25
(71)申请人 南瑞联研半导体有限责任公司
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