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本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法,包括:确定半导体器件的环境温度和功耗;将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型,以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温;其中,所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的;所述数据集包括:通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温;所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型,每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112926259 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110167067.4 G06F 119/08 (2020.01)
(22)申请日
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