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2023-06-10 发布于四川
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一种GaAs工艺K波段变频器结构芯片.pdf

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本发明提供一种GaAs工艺K波段变频器结构芯片，工作频率17.7GHz‑23.4GH，基波信号输入频率是8.85GHz‑11.7GHz，输入信号经过基波放大器进行信号放大，放大信号驱动二倍频器进行工作，使信号进行二次倍频，经过滤波器，更进一步滤除杂波。实现了从X到K波段的倍频功能，达到了16dBm的输出功率，且功率平坦度较好，具有良好的各次谐波抑制度，达到了55dBc。放大后的本振信号经过本振I/Q电桥，分成两路相位差别90°的信号，分别进入混频器，双平衡混频器分别和输入的中频I信号和中频Q信号

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928994 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110092386.3 (22)申请日 2021.01.24 (71)申请人合肥芯谷微电子有限公司

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