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反熔丝一次性可编程存储器单元以及相关阵列结构.pdfVIP

反熔丝一次性可编程存储器单元以及相关阵列结构.pdf

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    本发明公开了一种一次性可编程存储器单元。所述一次性可编程存储器单元包含：上电极、绝缘层、下电极以及浅沟槽隔离区。所述绝缘层设置在所述上电极的下方。所述下电极具有电场增强结构，设置在所述绝缘层的下方，其中所述电场增强结构包含至少一个尖端部分。所述浅沟槽隔离区设置于邻近所述绝缘层以及所述下电极，其中所述电场增强结构被所述浅沟槽隔离区所包围，并且所述上电极部分地覆盖所述浅沟槽隔离区。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951831 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202011351952.X (22)申请日 2020.11.26 (30)优先权数据 62/940,25

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