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本发明适用于半导体器件领域，提供了一种耐正负高压的SCRESD防护器件及其工艺方法，该防护器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层中形成的第一、第二漂移区，分别在第一、第二漂移区和外延层的交界处形成的第一，第二注入区；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，分别在第一、第二漂移区中形成的第二，第三阱；分别在第一、第二、第三阱中形成的第一类型有源区，分别在第一、第二漂移区中形成的两个第二类型有源区。本发明提供的器件能够保证端口正常工作在正负高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112928111 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 202110112896.2 (56)对比文件
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