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本发明提供一种平板探测器的制备方法,采用一层或叠层的金属隔离层,以隔离氧化物有源层,避免后续的光电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损伤,避免氧化物有源层的性能劣化,提高平板探测器质量及性能;且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极,有利于减小平板探测器的Lag值;本发明通过在光电二极管成膜完成后,将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除,可减小寄生电容对平板探测器的影响;本发明通过在第二保护层成膜完成后,将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除,可避免光电二极管以及第二保护层的成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951860 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 202011576929.0
(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
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