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一种浮空p柱的槽栅超结IGBT.pdfVIP

一种浮空p柱的槽栅超结IGBT.pdf

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    本发明提供了一种超结IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空并且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包围，其具有低导通压降，并且槽型栅极结构底部的重掺杂的第二导电类型的半导体区能显著降低空穴流经槽型栅极结构底部时的碰撞电离，避免击穿电压的降低。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112928155 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110355018.3 (22)申请日 2021.04.01 (65)同一申请的已公布的文献号

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