半导体废硅泥的二氧化硅再生方法.pdfVIP

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2023-06-10 发布于四川
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半导体废硅泥的二氧化硅再生方法.pdf

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本发明公开了一种半导体废硅泥的二氧化硅再生方法，其方法如下：将废硅泥进行第一次干燥，干燥条件为150～300℃，干燥时间为1～3小时，得硅泥固体；将所得的硅泥固体置入第一搅拌装置内，并加入第一浸渍溶液进行第一次搅拌；将所得之物进行第一次过滤及清洗；将所得之物进行第二次干燥；将所得之物置入第二搅拌装置中进行纯化，并加入第二浸渍溶液进行第二次搅拌；将所得之物进行第二次过滤及清洗；将所得之物进行第三次干燥；将所得之物进行研磨，使颗粒通过100mesh筛网，剩余颗粒大于100mesh的固体则继续研磨，即

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112919477 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110268385.X (22)申请日 2021.03.12 (71)申请人成信实业股份有限公司

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