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一种高线性度的栅压自举开关电路，本发明将第四NMOS管的源端与第一NMOS的源端的连接断开，转而令第四NMOS管的源端接地，从而消除了第四NMOS管的寄生电容与输入信号的相关性，且第四NMOS管的寄生电容也不再与第一电容的下极板相连，减少了电路中的非线性电容，提高了整体电路的线性度；同时为了提高电路的可靠性，本发明还引入了辅助模块，使得采样阶段中，在时钟信号为高电平且第一PMOS管导通前，通过辅助模块将第一PMOS管的栅极电压下拉到地电压从而将第一PMOS管导通，随后断开辅助模块与第一PMOS管
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112953503 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110133246.6 US 2015200663 A1,2015.07.16
(22)申
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