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本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺，包括：将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器，N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内，低温等离子体放电产生高能电子和活性自由基，等离子体放电过程产生的多余高能电子与N型半导体催化剂中的电子进行碰撞，形成轨道电子的跃迁，产生“类光催化”行为，继而形成电子和空穴并进一步生成其他强氧化性物种，气态污染物在这些活性物种的共同作用下得到深度氧化，生成无害小分子或更有利于后续
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112915783 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110151571.5
(22)申请日 2021.02.03
(71)申请人 浙江
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