保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法.pdfVIP

保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法.pdf

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本发明涉及一种具备支撑片与形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，在温度为23℃的环境下，以上推速度为10mm/秒、上推高度为20mm的条件，将所述保护膜形成用膜沿表面方向扩展后的所述保护膜形成用复合片的所述支撑片侧的最表层的表面电阻率为1.0×1011Ω/□以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112956014 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 201980072649.5 (74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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