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2023-06-10 发布于四川
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多晶硅电阻的制备方法.pdf

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本发明提供一种多晶硅电阻的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层。去除部分多晶硅层，以将多晶硅层分为若干个子多晶硅层。对所有子多晶硅层同时执行至少一次离子注入工艺。分别对每一子多晶硅层执行至少一次离子注入工艺，且每一子多晶硅层采用的离子种类和/或浓度不同。因此，本发明是在被同时执行至少一次离子注入工艺的基础上，对每一子多晶硅层再执行不同浓度和/或不同种类的离子注入工艺，由此通过离子叠加作用，以得到预设电阻率，进而获得若干个具有不同预设电阻率的子多晶硅电阻。故本发明不仅能同时制备多个

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928209 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110090116.9 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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