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本发明公开了一种晶片退镀工艺方法,包括:将晶片产品投入到退镀液中浸泡;将从退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净,并在清洗后返回将晶片产品投入到退镀液中浸泡的步骤,直至所有镂空退镀膜退镀干净为止;其中,晶片产品在退镀液中浸泡的时长总和小于任意一个镂空退镀膜边缘的保护油被咬噬的时间临界点。本发明将从退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净后,再将晶片产品投入到退镀液中浸泡,避免生成物覆盖增透膜,影响增透膜与退镀液接触反应,经过反复退镀和清洗,提高了退镀效率,缩短了整体退镀时间,以确保所有镂空增透
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928015 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110090785.6
(22)申请日 2021.01.22
(71)申请人 蓝思科技(长沙)有限公司
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