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本发明涉及一种相变温度可调控的钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：1)将VO2粉末与WO3粉末进行球磨混合，之后置于模具中进行热压烧结，得到靶材胚体；2)将铜背靶与步骤1)中的靶材胚体焊接在一起，得到靶材；3)将预处理后的衬底及步骤2)中的靶材一起置于磁控溅射腔中，进行射频磁控溅射，得到薄膜；4)将步骤3)中的薄膜进行退火结晶，即得到钨掺杂二氧化钒薄膜。与现有技术相比，本发明采用热压烧结的方式，制备了钨掺杂二氧化钒靶材，同时通过射频磁控溅射，解决了反应直流磁控溅射中存在的氧分压问题
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112921291 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110106194.3
(22)申请日 2021.01.26
(71)申请人 上海交通大学
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