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本发明公开了一种芯片和芯片的分离方法,包括步骤:对多个测试和监控图形结构形成于晶片上的位置进行设置,使各芯片间的分离槽的宽度至少在一个方向上小于20微米;形成一张分离槽刻蚀掩膜版并利用该分离槽刻蚀掩膜版对分离槽的介质膜、或者介质膜和金属膜进行刻蚀以及分离槽下方的衬底进行刻蚀;进行背面减薄和通过施加压力使芯片和芯片分离。本发明能减少各芯片间的分离槽的宽度、能提高分割的稳定性和芯片的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992781 A
(43)申请公布日
2021.06.18
(21)申请号 20191
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