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半导体器件和形成半导体器件的方法.pdfVIP

半导体器件和形成半导体器件的方法.pdf

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    方法包括：蚀刻介电层以形成介电鳍；在介电鳍上沉积过渡金属二硫属化物层；以及对过渡金属二硫属化物层实施各向异性蚀刻工艺。去除过渡金属二硫属化物层的水平部分，并且保留位于介电鳍的侧壁上的过渡金属二硫属化物层的垂直部分以形成垂直半导体环。该方法还包括：在二维半导体垂直半导体环的第一部分上形成栅极堆叠件；以及形成源极/漏极接触插塞，其中，源极/漏极接触插塞接触垂直半导体环的第二部分的侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992787 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011313544.5 (22)申请日 2020.11.20 (30)优先权数据 62/947,86

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