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本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体涉及一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法。包括将碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料A层，碳化硅和氮化硼形成混合粉料B层以及碳化硅粉形成的粉料C层。本发明技术方案通过将三种不同粉料分层放置，在提高碳化硅陶瓷生长速率的同时避免了由于生长速率过快所导致的碳化硅晶体缺陷的产生，保证了碳化硅陶瓷的致密性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112979318 B
(45)授权公告日 2022.06.03
(21)申请号 202110151670.3 C04B 35/622 (2006.01)
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