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超深光电二极管的制作方法.pdfVIP

超深光电二极管的制作方法.pdf

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    本申请公开了一种超深光电二极管的制作方法，涉及半导体制造领域，该方法包括在衬底中形成具有预定深度的深沟槽；对衬底进行离子注入，在深沟槽的侧壁和底部外侧形成具有预定厚度的掺杂层；掺杂层具有第一导电类型；生长具有第二导电类型的外延层，利用外延层完全填充深沟槽；第一导电类型与第二导电类型相反；对衬底进行平坦化，在衬底中形成超深光电二极管；解决了超深光电二极管的深度受光刻和离子注入工艺限制的问题；达到了有效拓展超深光电二极管的深度的效果。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993083 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110152985.X (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司

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