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2023-06-11 发布于四川
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深沟道隔离结构及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种深沟道隔离结构及其制作方法，制作方法包括：提供半导体衬底，其上依次形成有与所述半导体衬底类型相反的外延层、浅沟道隔离以及氮化物；在浅沟道隔离上进行深沟道隔离的光罩工艺以及反应离子刻蚀；线性氧化，并采用TEOS淀积；TEOS刻蚀，以清除顶部和底部的氧化物；多晶硅淀积，进行CMP工艺以及去除氮化物；淀积氧化物和氮化物，进行LOCOS光罩工艺以及反应离子刻蚀；LOCOS氧化；去除氮化物；ILD淀积，Contact通过多晶硅与所述半导体衬底连接。本发明通过TEOS刻蚀步骤清除了顶部和底部

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013086 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202010495900.3 (22)申请日 2020.06.03 (71)申请人上海积塔半导体有限公司

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