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一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法,属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层,然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维hBN薄膜。与现在技术中使用的金属箔片相比,Cu缓冲层表面更加平整光滑,并且是Cu(111)晶面,与hBN晶格十分匹配,更适合于二维hBN薄膜的生长,Cu缓冲层的厚度可由Cu靶材的溅射工艺参数进行调节。采用本发明方法制得的二维hBN薄膜尺寸较大、质量较高,且Cu薄膜缓冲层可以作为
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112962082 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110273353.9 C23C 14/58 (2006.01)
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