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2023-06-11 发布于四川
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公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括栅电极、沟道、第一导电贯穿过孔和绝缘结构。栅电极在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开，并且可以以阶梯形状堆叠。沟道沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的第一栅电极的导电垫并且与该导电垫电连接。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的在第一栅电极下的第二栅电极。绝缘结构形成在第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个的侧壁之间，并且使第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个电绝缘。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013176 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011278401.5 (22)申请日 2020.11.16 (30)优先权数据 10-2019-0

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