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气相外延方法.pdfVIP

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    气相外延方法，具有以下方法步骤：提供第一传导类型的III‑V衬底，在装载温度TB的情况下将III‑V衬底装入到气相外延设施的反应腔中，在导入初始气流的情况下将III‑V衬底从装载温度TB加热到外延温度TE，该初始气流具有承载气体和用于V.主族中的第一元素的第一前体，由导入到反应腔中的外延气流的气相将具有第一传导类型的掺杂剂的掺杂剂浓度的III‑V层沉积在III‑V衬底的表面上，该外延气流具有承载气体、第一前体和用于III.主族的元素的至少一个第二前体，其中，在从装载温度TB加热到外延温度TE期间

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113005521 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202011360647.7 (51)Int.Cl.

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