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提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜(包括含金属的膜)当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面,并通过光化辐射曝光感兴趣区域。光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应。该方法还包括从该感兴趣区域去除该自组装单层,而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层,从而阻挡金属颗粒和膜的粘附。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112997292 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 201980074237.5 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
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