控制半导体器件栅极形成的方法和制造半导体器件的系统.pdfVIP

控制半导体器件栅极形成的方法和制造半导体器件的系统.pdf

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控制半导体器件的栅极形成的方法包括：获得栅极临界尺寸(CD)和用于形成栅极沟槽的蚀刻方案之间的相关性；测量目标晶圆上的栅极CD；基于校正和测量的栅极CD确定蚀刻方案；以及对目标晶圆实施蚀刻工艺以利用确定蚀刻方案形成栅极沟槽。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的系统。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992788 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011481766.8 H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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