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低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法.pdfVIP

低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法.pdf

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    本发明涉及低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法。所述方法包括以下步骤：(1)称取原料，原料包括硅橡胶、软磁合金粉、碳纳米管、石墨烯、硅烷偶联剂和硫化剂；(2)任选地，部分软磁粉料预处理；(3)将所述原料进行混炼；(4)热挤出或热压成型及隧道硫化和二次硫化。本发明通过无机磁性粉料和有机高分子材料的特殊复合工艺，制成柔性的磁性复合材料，实现对200KHz以下低频干扰磁场的有效屏蔽。为信号传输过程中，线缆、线路的有效磁干扰防护提供一种可靠保证。同时所述有机硅复合磁性材料还具有良好导磁率、机

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112980199 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202110419317.9 C08K 7/18 (2006.01)

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