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一种台面PiN二极管、制备方法及硅基可重构隐身天线.pdfVIP

一种台面PiN二极管、制备方法及硅基可重构隐身天线.pdf

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    本发明涉及一种台面PiN二极管、制备方法及硅基可重构隐身天线，该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；形成台面的有源区；利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的台面PiN二极管的制备。本发明的PiN二极管缩减了电极在二极管中所占的比重，极大的提升了固态等离子体区域对PiN二极管微波辐射特性的影响，采用原位掺杂能够避免离子注入等方式带来的不利影响，且能够通过控制气体流量来控

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993050 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110175610.5 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人 中国

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