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本发明提供了一种半导体结构形成方法，涉及半导体结构制备技术领域，包括：在透明衬底的上表面形成第一负光刻胶层；对第一负光刻胶层进行曝光，在第一负光刻胶层的曝光区域形成正梯形结构；在第一负光刻胶层上方形成第二负光刻胶层，对其进行曝光，在第二负光刻胶层的曝光区域形成倒梯形结构；对第一负光刻胶层和第二负光刻胶层进行显影，在透明衬底上形成多个由正梯形结构和倒梯形结构堆叠而成的光阻隔离柱；在光阻隔离柱顶面形成保护层，沿倒梯形结构的一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；沿倒梯形结构的另一侧的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112992660 B
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202110503311.X (56)对比文件
(22)申请日 2021.05.10
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