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本发明公开了一种半导体激光器芯片及其应用方法,所述芯片P面顺次排列有若干个P面凹陷区,所述芯片N面顺次排列有若干个N面非凹陷区;当所述芯片进行摆条工艺,相邻带镀膜巴条之间通过P面凹陷区、N面非凹陷区适配嵌合;所述芯片P面还设有若干个P面非凹陷区,所述P面非凹陷区、P面凹陷区相互间隔设置;所述芯片N面上设有若干个N面凹陷区,所述N面非凹陷区、N面凹陷区相互间隔设置。本发明公开了一种半导体激光器芯片及其应用方法,芯片结构设计合理,不仅在降低生产成本的同时提高了镀膜效率,保证镀膜质量,同时也解决了镀膜
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993755 B
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 201911202584.X (56)对比文件
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