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2023-06-11 发布于四川
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一种生长高质量SiC单晶的装置及生长方法，它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的是SiC单晶有瑕疵的问题。本发明装置包括坩埚主体，所述的坩埚主体外侧设置有保温层，坩埚主体的坩埚上盖粘贴籽晶，坩埚主体的中部设置有上层石墨板，坩埚主体的下部设置有下层石墨板，坩埚主体的底部装有硅粉，保温层的外侧设置有石英管，石英管外侧上部环绕上部感应线圈，石英管外侧中部环绕中部感应线圈，石英管外侧下部环绕下部感应线圈。生长原料由纯度不低于10ppm的硅粉以及石墨片组成，实现了无其他杂质掺杂可能，配合新热场以及坩

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981531 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110177439.1 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人赵丽丽地址 150

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