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一种碳化硅器件外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该方法包括：在衬底上生长碳化硅外延层；在碳化硅外延层上沉积第一阻挡层；刻蚀第一阻挡层以形成露出碳化硅外延层的第一窗口，通过第一窗口注入N型离子以在碳化硅外延层内形成N型离子注入区；在第一阻挡层上和第一窗口内生长连续的第二阻挡层，第二阻挡层在第一窗口内围合形成第二窗口；刻蚀第二阻挡层以露出位于第二窗口处的N型离子注入区，并保留位于第一窗口侧壁的第二阻挡层以形成侧墙结构；通过离子注入在N型离子注入区内形成P型离子注入区，P型离子注入区在碳化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993017 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 202110202787.X H01L 29/861 (2006.01)
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