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一种半导体结构的形成方法,包含:形成第一栅极结构于基底的低电位预定区中;形成第二栅极结构于基底的高电位预定区中;依序形成第一介电层以及第二介电层覆盖第一栅极结构以及第二栅极结构,其中第二介电层的材料不同于第一介电层;沿着第二栅极结构的侧壁形成第三介电层的一部分于第二介电层之上,其中第三介电层的材料不同于第二介电层;以及通过第三介电层的此部分作为刻蚀硬遮罩,刻蚀第一介电层以及第二介电层以形成第一复合间隔物覆盖第一栅极结构的侧壁以及第二复合间隔物覆盖第二栅极结构的侧壁;其中第一复合间隔物的宽度小于第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992889 A
(43)申请公布日
2021.06.18
(21)申请号 20191
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