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本发明公开了一种硅片表面基化处理方法,其包括处理以下方式,表面羟基化、表面氨基化、表面羧基化、表面甲基化和表面醛基化,本发明具有以下有益效果,合理选取进行反应处理的溶液,以减少反应的步骤,达到了简便处理流程的有益效果;对处理的溶液采用合适的用量,以减少材料的浪费的有益效果,且流程处理的过程,合理采用处理前后的清理,以达到避免干扰因素好的有益效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013019 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110150770.4
(22)申请日 2021.02.03
(71)申请人 沈发明
地址 362
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