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    描述了一种电子电路，该电子电路包括：第一电源轨；第二电源轨；以及场效应晶体管FET，该FET包括：第一端子，其直接或间接耦合到第一电源轨；第二端子，其直接或间接耦合到第二电源轨；半导体材料的沟道，其连接第一端子与第二端子；栅极端子，能够向其施加电压以控制沟道的导电性，该沟道提供从第一端子到第二端子的导电路径；以及栅极电介质，其被布置成使栅极端子与沟道绝缘。该电路还包括介电材料层或其他介电材料体，栅极电介质是该介电材料层或其他介电材料体的第一部分。第一电源轨包括布置在介电材料层或其他介电材料体的第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112997306 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 201980073820.4 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司

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