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瞬变电压抑制二极管及其制造方法.pdfVIP

瞬变电压抑制二极管及其制造方法.pdf

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    本发明实施例公开了一种瞬变电压抑制二极管及其制造方法。该瞬变电压抑制二极管，包括：衬底，在衬底的背面形成有第一离子掺杂区，第一离子掺杂区用于吸收衬底中的杂质，且第一离子掺杂区在后续工艺中被去除；第二离子掺杂区，位于衬底的正面；衬底和第二离子掺杂区的交界面形成PN结；氧化层，氧化层位于衬底的正面，氧化层包括第一窗口，第一窗口露出第二离子掺杂区；第一金属电极，第一金属电极覆盖第二离子掺杂区和氧化层；第二金属电极，第二金属电极位于衬底的背面。与现有技术相比，本发明实施例降低了瞬变电压抑制二极管的漏电流

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013224 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 20191

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