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本发明提供了一种GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。本发明提供的倍频单片和倍频器均采用了上述GaN太赫兹二极管。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993054 B
(45)授权公告日 2022.09.20
(21)申请号 202110161027.9 H01L 29/207 (2006.01)
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